Porovnání DC Bias a Pulse Bias

Tradiční obloukové pokovování se vztahuje na stejnosměrné záporné zkreslení, které se na substrát aplikuje na kontrolu iontového bombardování. Proces ukládání má následující nevýhody:

● Vysoký nárůst teploty substrátu nepodporuje nanášení tvrdých filmů na nízkoteplotní temperovací podklad.

● Bombardace iontů vysokou energií způsobila vážné rozprašování a tenký tenký film nemohl být jednoduše tím, že by se zvýšila syntéza iontového bombardování energií s vysokou reakční prahovou energií.

Při procesu pokovování iontovým polarizačním obloukem, aby se zabránilo iontovému konstantnímu bombardování povrchu substrátu a způsobovalo se příliš vysoká teplota substrátu, je hlavním opatřením snížení účinnosti deponace, zkrácení doby nanášení, použití přerušovaného nanášení a jiná opatření ke snížení teploty depozice, tato opatření se nazývají "Metoda řízení energie". Přestože tato metoda může snížit teplotu nanášení, také snižuje některé vlastnosti filmu a současně snižuje účinnost výroby a stabilitu kvality filmu. Proto je obtížné popularizovat a uplatňovat.

V impulzním polarizačním způsobu, protože ionty bombardují povrch substrátu s nepřetržitým impulsem, může být změnou poměru zatížení impulzního zkreslení změněn teplotní gradient mezi vnitřní a povrchovou matricí a pak může být změněn rovnovážný kompenzační efekt teploty mezi vnitřní a povrchovou plochou substrátu, aby se dosáhlo účelu regulace teploty ukládání. Tímto způsobem lze nastavit výšku impulsu aplikovaného zkreslení a teplotu obrobku samostatně (bez vlivu nebo malého vlivu). Vysokonapěťové impulsy se používají k získání bombardovacího efektu iontů s vysokou energií ke zlepšení mikrostruktury a vlastností tenké vrstvy, a to snížením poměru zatížení k snížení celkového tepelného účinku iontového bombardování, aby se snížila teplota nanášení.