Aplikace odpařování elektronovým paprskem

Aplikace odpařování elektronovým paprskem - příprava TiO 2 filmu odpařováním elektronovým paprskem

Odpařování elektronového svazku s principem povrchové úpravy pro přípravu filmu TiO 2 pomocí automatického optického povlakového systému INTEGRITY-39 s odpařováním elektronových paprsků pomocí iontového paprsku, jak je znázorněno na obrázku níže.

0010010 nbsp; 1. Přívod chladicí vody; {{{2}}. Výstup chladicí vody; 3. Kelímek; 4. Cívka paprsku; 5. Vysílač elektronového paprsku; 6. Topná lampa; 7. Substrátový rám; 8. Motor; 9. Monitorovací film; 1 0. Pracovní napětí vzorkové elektronové pistole připravené pokovením zdrojem iontů je 1 0 kV, proud je {{{{{{}}}}} 00 A a teplota depozice vakuové komory je 1 45 ~ 1 55 ℃. Pro materiál membrány byl vybrán černý granulovaný Ti 2 O 3 s čistotou 9 9. 99%. Cc - 1 05 byl použit jako pomocný depozit iontový svazek se studenou katodou. Během nanášení byla vakuová komora naplněna O 2 čistotou 9 9. 99% jako reakčním plynem. Před potažením je substrát očištěn skleněným roztokem, opláchnut deionizovaným 0010010 nbsp; voda a suší se foukáním dusíkem. Poté se substrát čistí 99. 9% acetonem a ultrazvukem bezvodého ethanolu po 15 min. Po vysušení speciálním utíraným papírem se vloží do vakuové komory. Když je vakuum pumpováno na {{{5}}. 5 × 10-4pa mechanickým čerpadlem a difúzním čerpadlem, je nastaven automatický proces pokovování. Když se substrát zahřeje na depoziční teplotu 1 5 0 ℃, zdroj iontů začne bombardovat substrát a energie se reguluje na {{{5}} 0 ~ 9 0 eV po dobu 10 min.

potom se elektronická pistole automaticky zahřeje a odpaří filmový materiál a rychlost depozice je 0. 38 ~ 0. 42 nm / s. Když je film uložen do konstrukční tloušťky 440 nm, program automaticky uzavře elektronovou pistoli a pokovování je dokončeno. Po potažení byla vakuová komora přirozeně ochlazena na teplotu místnosti a vzorek byl vyjmut. Spektrální test vzorku TiO 2 byl proveden s Lambda 900 (testovací rozsah 175 ~ 3 300 nm) spektrofotometrem. Skutečná tloušťka, extinkční koeficient a index lomu filmu TiO 2 byly vypočteny metodou softwarové obálky Macleod. Účinky různých stupňů vakua na kvalitu formování filmuy, index lomu a absorpční koeficient TiO 2 byly studovány s různými toky kyslíku o vysoké čistotě do vakuové komory. Když se tenký film TiO 2 nanáší odpařováním za pomoci zdroje iontů ve vysokém stupni vakua, je změna stupně vakua s průchodem kyslíku uvedena v následující tabulce. Když jsou molekuly kyslíku ve vakuové komoře ionizovány na kyslíkové ionty a reagují s Ti {{{2}} O 3 molekulami páry, kyslík ztratil při rozkladu Ti {{2 }}} O 3 se doplní a výsledný TiO 2 ve filmu je relativně čistý. Pokud je však přívod kyslíku nedostatečný nebo je reakce mezi Ti {{{2}} O 3 a O 2 nedostatečná, film oxidu titaničitého s vysokou absorpcí tino {{{{{ 4}}}} n - 1 (n=1, {{{2}}, ..., 1 0). S nárůstem toku kyslíku se zvyšuje pravděpodobnost kolize mezi molekulami páry TiO 2 a molekulami kyslíku v procesu nárůstu vypařování a ztrácí se energie, což snižuje kinetickou energii TiO 2 uloženou na substrátu povrch a ovlivňuje adhezi a zahušťování naneseného filmu. U optických tenkých filmů může pomocný zdroj iontů zvýšit kinetickou energii molekul na povrchu substrátu, nejen že má významný dopad na index lomu filmu, ale také může zlepšit hustotu filmu a odolnost proti vlhkosti a film adheze na substrátu je také výrazně zlepšena.

IKS-OPT2700 optical E-gun vacuum coating machine，more details,contact: iks.pvd@foxmail.com